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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5215TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5215TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5215TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5215TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-VQFN Exposed Pad
Fiche technique
IRFH5215TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 28465

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5215TRPBF
Infineon Technologies - IRFH5215TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5215TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-VQFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta), 27A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH5215  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5215TRPBF

Attributs du produit IRFH5215TRPBF IRFH5220TRPBF IRFH5206TRPBF IRFH5220TR2PBF
Modèle de produit IRFH5215TRPBF IRFH5220TRPBF IRFH5206TRPBF IRFH5220TR2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRFH5215 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 16A, 10V 99.9mOhm @ 5.8A, 10V 6.7mOhm @ 50A, 10V 99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 50 V 1380 pF @ 50 V 2490 pF @ 25 V 1380 pF @ 50 V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 200 V 60 V 200 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta), 27A (Tc) 3.8A (Ta), 20A (Tc) 16A (Ta), 89A (Tc) 3.8A (Ta), 20A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Package / Boîte 8-VQFN Exposed Pad 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 100µA 5V @ 100µA

Fiche technique IRFH5215TRPBF PDF

Téléchargez IRFH5215TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5215TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 9/Nov/2022.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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