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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5206TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5206TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5206TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5206TR2PBF.pdf
En stock: 4930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH5206TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5206TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5206TR2PBF

Attributs du produit IRFH5206TR2PBF IRFH5250DTR2PBF IRFH5106TRPBF IRFH5215TRPBF
Modèle de produit IRFH5206TR2PBF IRFH5250DTR2PBF IRFH5106TRPBF IRFH5215TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 25 V 60 V 150 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Séries - - HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 2.35V @ 150µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V 6115 pF @ 13 V 3090 pF @ 25 V 1350 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 5A (Ta), 27A (Tc)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V 58mOhm @ 16A, 10V

Fiche technique IRFH5206TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH5206TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5206TR2PBF - Infineon Technologies.

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Informations environnementales
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Assemblage / origine PCN
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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