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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5210TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5210TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5210TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5210TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5210TR2PBF.pdf
En stock: 4220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5210TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH5210TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5210TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2570 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 55A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5210TR2PBF

Attributs du produit IRFH5210TR2PBF IRFH5204TRPBF IRFH5210TRPBF IRFH5110TR2PBF
Modèle de produit IRFH5210TR2PBF IRFH5204TRPBF IRFH5210TRPBF IRFH5110TR2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V 14.9mOhm @ 33A, 10V 12.4mOhm @ 37A, 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 55A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc) 10A (Ta), 55A (Tc) 11A (Ta), 63A (Tc)
Séries - HEXFET® HEXFET® -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2570 pF @ 25 V 2460 pF @ 25 V 2570 pF @ 25 V 3152 pF @ 25 V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)

Fiche technique IRFH5210TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH5210TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5210TR2PBF - Infineon Technologies.

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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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