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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF9953TR
IRF9953TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9953TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9953TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9953TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF9953TR.pdf
En stock: 3810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9953TR
Infineon Technologies - IRF9953TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9953TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF995  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9953TR

Attributs du produit IRF9953TR IRF9956 IRF9953 IRF9952TRPBF
Modèle de produit IRF9953TR IRF9956 IRF9953 IRF9952TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V
Numéro de produit de base IRF995 IRF995 IRF995 IRF995
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A 3.5A 2.3A 3.5A, 2.3A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 14nC @ 10V 12nC @ 10V 14nC @ 10V

Fiche technique IRF9953TR PDF

Téléchargez IRF9953TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9953TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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