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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7748L1TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7748L1TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7748L1TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7748L1TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric L6
Fiche technique
IRF7748L1TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 5130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7748L1TRPBF
Infineon Technologies - IRF7748L1TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7748L1TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET L6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 89A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.3W (Ta), 94W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric L6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta), 148A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF7748  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7748L1TRPBF

Attributs du produit IRF7748L1TRPBF IRF7707TRPBF IRF7749L1TRPBF IRF7739L2TRPBF
Modèle de produit IRF7748L1TRPBF IRF7707TRPBF IRF7749L1TRPBF IRF7739L2TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 89A, 10V 22mOhm @ 7A, 4.5V 1.5mOhm @ 120A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 47 nC @ 4.5 V 300 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 2.5V, 4.5V 10V 10V
Package / Boîte DirectFET™ Isometric L6 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8
Tension drain-source (Vdss) 60 V 20 V 60 V 40 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1.2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries - HEXFET® - HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta), 148A (Tc) 7A (Ta) 33A (Ta), 200A (Tc) 46A (Ta), 375A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Dissipation de puissance (max) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 1.5W (Ta) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Package composant fournisseur DIRECTFET L6 8-TSSOP DirectFET™ Isometric L8 DIRECTFET L8
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 50 V 2361 pF @ 15 V 12320 pF @ 25 V 11880 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IRF7748 - IRF7749 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V

Fiche technique IRF7748L1TRPBF PDF

Téléchargez IRF7748L1TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7748L1TRPBF - Infineon Technologies.

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