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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7750
IRF7750 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7750 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7750
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7750
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
IRF7750.pdf
En stock: 5370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7750
Infineon Technologies - IRF7750 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7750

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF7750  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7750

Attributs du produit IRF7750 IRF7752 IRF7750TR IRF7750GTRPBF
Modèle de produit IRF7750 IRF7752 IRF7750TR IRF7750GTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V 9nC @ 4.5V 39nC @ 5V 39nC @ 5V
Puissance - Max 1W 1W 1W 1W
Numéro de produit de base IRF7750 IRF775 IRF7750 IRF7750
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A 4.6A 4.7A 4.7A
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 30mOhm @ 4.6A, 10V 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V 861pF @ 25V 1700pF @ 15V 1700pF @ 15V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique IRF7750 PDF

Téléchargez IRF7750 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7750 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7750.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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