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IRF7457TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7457TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7457TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7457TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7457TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7457TRPBF
Infineon Technologies - IRF7457TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7457TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7457TRPBF

Attributs du produit IRF7457TRPBF IRF7458TR IRF7458PBF IRF7457PBF
Modèle de produit IRF7457TRPBF IRF7458TR IRF7458PBF IRF7457PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 10 V 2410 pF @ 15 V 2410 pF @ 15 V 3100 pF @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta) 14A (Ta) 14A (Ta) 15A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V, 16V 10V, 16V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V 8mOhm @ 14A, 16V 8mOhm @ 14A, 16V 7mOhm @ 15A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V 59 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 42 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

Fiche technique IRF7457TRPBF PDF

Téléchargez IRF7457TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7457TRPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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