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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7457
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IRF7457 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7457
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7457
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7457.pdf
Notre certification
En stock: 4350

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF7457
Infineon Technologies - IRF7457 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7457

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7457

Attributs du produit IRF7457 IRF7457PBF IRF7458PBF IRF7458TR
Modèle de produit IRF7457 IRF7457PBF IRF7458PBF IRF7458TR
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V, 16V 10V, 16V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta) 15A (Ta) 14A (Ta) 14A (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V 42 nC @ 4.5 V 59 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Emballer Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 10 V 3100 pF @ 10 V 2410 pF @ 15 V 2410 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V 7mOhm @ 15A, 10V 8mOhm @ 14A, 16V 8mOhm @ 14A, 16V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRF7457 PDF

Téléchargez IRF7457 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7457 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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