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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7459
IRF7459 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7459 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7459
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7459
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7459.pdf
En stock: 5220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7459
Infineon Technologies - IRF7459 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7459

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.8V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7459

Attributs du produit IRF7459 IRF7457TR IRF7457TRPBF IRF7463
Modèle de produit IRF7459 IRF7457TR IRF7457TRPBF IRF7463
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V 7mOhm @ 15A, 10V 7mOhm @ 15A, 10V 8mOhm @ 14A, 10V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 10 V 3100 pF @ 10 V 3100 pF @ 10 V 3150 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta) 15A (Ta) 15A (Ta) 14A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 42 nC @ 4.5 V 42 nC @ 4.5 V 51 nC @ 4.5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 10V

Fiche technique IRF7459 PDF

Téléchargez IRF7459 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7459 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7459.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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