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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7416PBF
IRF7416PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7416PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7416PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7416PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7416PBF.pdf
État RoHS
En stock: 3730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7416PBF
Infineon Technologies - IRF7416PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7416PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7416PBF

Attributs du produit IRF7416PBF IRF7413ZTR IRF7416QTRPBF IRF7413ZTRPBF
Modèle de produit IRF7416PBF IRF7413ZTR IRF7416QTRPBF IRF7413ZTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1210 pF @ 15 V 1700 pF @ 25 V 1210 pF @ 15 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 13A (Ta) 10A (Ta) 13A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.25V @ 250µA 1V @ 250µA 2.25V @ 25µA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

Fiche technique IRF7416PBF PDF

Téléchargez IRF7416PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7416PBF - Infineon Technologies.

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Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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