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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7413Z
IRF7413Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7413Z - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7413Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7413Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7413Z.pdf
En stock: 5130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7413Z
Infineon Technologies - IRF7413Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7413Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7413Z

Attributs du produit IRF7413Z IRF7413ZTRPBF IRF7413QTRPBF IRF7413TRPBF
Modèle de produit IRF7413Z IRF7413ZTRPBF IRF7413QTRPBF IRF7413TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 25µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V 1210 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 79 nC @ 10 V 79 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bulk

Fiche technique IRF7413Z PDF

Téléchargez IRF7413Z PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7413Z - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7413Z.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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