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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7413ZTR
IRF7413ZTR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7413ZTR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7413ZTR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7413ZTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7413Z.pdf
En stock: 4880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7413ZTR
Infineon Technologies - IRF7413ZTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7413ZTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7413ZTR

Attributs du produit IRF7413ZTR IRF7416PBF IRF7413TRPBF IRF7413Z
Modèle de produit IRF7413ZTR IRF7416PBF IRF7413TRPBF IRF7413Z
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V 1700 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1210 pF @ 15 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta) 10A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V 79 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V

Fiche technique IRF7413ZTR PDF

Téléchargez IRF7413ZTR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7413ZTR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7413Z.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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