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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7350TRPBF
IRF7350TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7350TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7350TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7350TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7350PbF.pdf
En stock: 4840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7350TRPBF
Infineon Technologies - IRF7350TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7350TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 2.1A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.1A, 1.5A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF7350  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7350TRPBF

Attributs du produit IRF7350TRPBF IRF7343PBF IRF7351TRPBF IRF7351PBF
Modèle de produit IRF7350TRPBF IRF7343PBF IRF7351TRPBF IRF7351PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V 36nC @ 10V 36nC @ 10V 36nC @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 50µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V 740pF @ 25V 1330pF @ 30V 1330pF @ 30V
Tension drain-source (Vdss) 100V 55V 60V 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 2.1A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 17.8mOhm @ 8A, 10V 17.8mOhm @ 8A, 10V
Numéro de produit de base IRF7350 IRF734 IRF7351 IRF7351PBF
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.1A, 1.5A 4.7A, 3.4A 8A 8A

Fiche technique IRF7350TRPBF PDF

Téléchargez IRF7350TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7350TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRF7350PbF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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