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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7343QTRPBF
IRF7343QTRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7343QTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7343QTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7343QTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7343QTRPBF.pdf
En stock: 4030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7343QTRPBF
Infineon Technologies - IRF7343QTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7343QTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 55V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A, 3.4A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF734  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7343QTRPBF

Attributs du produit IRF7343QTRPBF IRF7342QTRPBF IRF7350TRPBF IRF7343TRPBF
Modèle de produit IRF7343QTRPBF IRF7342QTRPBF IRF7350TRPBF IRF7343TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 210mOhm @ 2.1A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Fonction FET - Logic Level Gate - -
Tension drain-source (Vdss) 55V 55V 100V 55V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Numéro de produit de base IRF734 IRF734 IRF7350 IRF734
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V 690pF @ 25V 380pF @ 25V 740pF @ 25V
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A, 3.4A 3.4A 2.1A, 1.5A 4.7A, 3.4A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 38nC @ 10V 28nC @ 10V 36nC @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Séries - - HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRF7343QTRPBF PDF

Téléchargez IRF7343QTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7343QTRPBF - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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