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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7101PBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7101PBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRF7101PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7101PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
HEXFET POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7101PBF.pdf
État RoHS
En stock: 3640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7101PBF
International Rectifier - IRF7101PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRF7101PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF71  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRF7101PBF

Attributs du produit IRF7101PBF IRF7101TRPBF IRF7102 IRF710
Modèle de produit IRF7101PBF IRF7101TRPBF IRF7102 IRF710
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A 3.5A 2A 2A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 15nC @ 10V 6.6nC @ 10V 12 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRF71 IRF71 IRF71 -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Puissance - Max 2W 2W 2W -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V 320pF @ 15V 120pF @ 25V 135 pF @ 25 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO TO-220AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 50V 400 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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