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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6811STRPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6811STRPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRF6811STRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6811STRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric SQ
Fiche technique
IRF6811STRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 66410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6811STRPBF
International Rectifier - IRF6811STRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRF6811STRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DirectFET™ Isometric SQ  
Séries DirectFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 32W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric SQ  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRF6811STRPBF

Attributs du produit IRF6811STRPBF IRF6797MTRPBF IRF6798MTR1PBF IRF710
Modèle de produit IRF6811STRPBF IRF6797MTRPBF IRF6798MTR1PBF IRF710
Fabricant International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies onsemi
Package composant fournisseur DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX TO-220AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA 2.35V @ 150µA 2.35V @ 150µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - Schottky Diode (Body) -
Séries DirectFET® HEXFET® HEXFET® -
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 400 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc) 36A (Ta), 210A (Tc) 37A (Ta), 197A (Tc) 2A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 75 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 13 V 5790 pF @ 13 V 6560 pF @ 13 V 170 pF @ 25 V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Package / Boîte DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 32W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 36W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 19A, 10V 1.4mOhm @ 38A, 10V 1.3mOhm @ 37A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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