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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6797MTRPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6797MTRPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRF6797MTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6797MTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECT
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique
IRF6797MTRPBF.pdf
En stock: 39318

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6797MTRPBF
International Rectifier - IRF6797MTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRF6797MTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5790 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Ta), 210A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRF6797MTRPBF

Attributs du produit IRF6797MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6811STRPBF IRF6810STRPBF
Modèle de produit IRF6797MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6811STRPBF IRF6810STRPBF
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric S1
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET S1
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5790 pF @ 13 V 6190 pF @ 15 V 1590 pF @ 13 V 1038 pF @ 13 V
Séries HEXFET® HEXFET® DirectFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 38A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 3.7mOhm @ 19A, 10V 5.2mOhm @ 16A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Ta), 210A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 19A (Ta), 74A (Tc) 16A (Ta), 50A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA 2.35V @ 100µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 25µA
Tension drain-source (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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