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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6798MTRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6798MTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6798MTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6798MTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique
IRF6798M(TR)PbF.pdf
En stock: 4290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6798MTRPBF
Infineon Technologies - IRF6798MTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6798MTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Body)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Ta), 197A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6798MTRPBF

Attributs du produit IRF6798MTRPBF IRF6775MTR1PBF IRF6795MTRPBF IRF6775MTRPBF
Modèle de produit IRF6798MTRPBF IRF6775MTR1PBF IRF6795MTRPBF IRF6775MTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Ta), 197A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc) 32A (Ta), 160A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V 1.8mOhm @ 32A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Schottky Diode (Body) - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ
Tension drain-source (Vdss) 25 V 150 V 25 V 150 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA 5V @ 100µA 2.35V @ 100µA 5V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V 4280 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V 53 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ

Fiche technique IRF6798MTRPBF PDF

Téléchargez IRF6798MTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF6798MTRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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