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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6678TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6678TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6678TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6678TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique
IRF6678TRPBF.pdf
En stock: 4660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6678TRPBF
Infineon Technologies - IRF6678TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6678TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6678TRPBF

Attributs du produit IRF6678TRPBF IRF6710S2TR1PBF IRF6691TRPBF IRF6678
Modèle de produit IRF6678TRPBF IRF6710S2TR1PBF IRF6691TRPBF IRF6678
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc) 12A (Ta), 37A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 71 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V 1190 pF @ 13 V 6580 pF @ 10 V 5640 pF @ 15 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 30 V 25 V 20 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.4V @ 25µA 2.5V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V 5.9mOhm @ 12A, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V

Fiche technique IRF6678TRPBF PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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