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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6668TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6668TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6668TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6668TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric MZ
Fiche technique
IRF6668TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 50070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6668TRPBF
Infineon Technologies - IRF6668TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6668TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MZ  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MZ  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF6668  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6668TRPBF

Attributs du produit IRF6668TRPBF IRF6668TR1PBF IRF6665 IRF6678
Modèle de produit IRF6668TRPBF IRF6668TR1PBF IRF6665 IRF6678
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRF6668 - - -
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MX
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc) 55A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 80 V 80 V 100 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V 1320 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA 2.25V @ 250µA

Fiche technique IRF6668TRPBF PDF

Téléchargez IRF6668TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF6668TRPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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