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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6678
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRF6678 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6678
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6678
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Emballage
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique
IRF6678.pdf
Notre certification
En stock: 23847

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF6678
Infineon Technologies - IRF6678 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6678

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6678

Attributs du produit IRF6678 IRF6691TR1 IRF6668TR1PBF IRF6678TRPBF
Modèle de produit IRF6678 IRF6691TR1 IRF6668TR1PBF IRF6678TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.9V @ 100µA 2.25V @ 250µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 80 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V 71 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 55A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V 6580 pF @ 10 V 1320 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V

Fiche technique IRF6678 PDF

Téléchargez IRF6678 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF6678 - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IRF6678.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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