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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3205PBF
IRF3205PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3205PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3205PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3205PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF3205PBF.pdf
État RoHS
En stock: 36860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3205PBF
Infineon Technologies - IRF3205PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3205PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3247 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF3205  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3205PBF

Attributs du produit IRF3205PBF IRF300P227 IRF300P226 IRF3205SPBF
Modèle de produit IRF3205PBF IRF300P227 IRF300P226 IRF3205SPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRF3205 IRF300 IRF300 -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries HEXFET® StrongIRFET™ StrongIRFET™ HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc) 50A (Tc) 100A (Tc) 110A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 313W (Tc) 556W (Tc) 200W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 191 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3247 pF @ 25 V 4893 pF @ 50 V 10030 pF @ 50 V 3247 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V 40mOhm @ 30A, 10V 19mOhm @ 45A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V
Package composant fournisseur TO-220AB PG-TO247-3 TO-247AC D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 55 V 300 V 300 V 55 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRF3205PBF PDF

Téléchargez IRF3205PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3205PBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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