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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF300P226
IRF300P226 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF300P226 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF300P226
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF300P226
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRF300P226.pdf
État RoHS
En stock: 5836

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF300P226
Infineon Technologies - IRF300P226 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF300P226

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 45A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 556W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10030 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 191 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF300  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF300P226

Attributs du produit IRF300P226 IRF3007STRLPBF IRF3007PBF IRF3000
Modèle de produit IRF300P226 IRF3007STRLPBF IRF3007PBF IRF3000
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 45A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 400mOhm @ 960mA, 10V
Tension drain-source (Vdss) 300 V 75 V 75 V 300 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package / Boîte TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur TO-247AC D2PAK TO-220AB 8-SO
Numéro de produit de base IRF300 IRF3007 IRF3007 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 191 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 62A (Tc) 75A (Tc) 1.6A (Ta)
Séries StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10030 pF @ 50 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 556W (Tc) 120W (Tc) 200W (Tc) 2.5W (Ta)

Fiche technique IRF300P226 PDF

Téléchargez IRF300P226 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF300P226 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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