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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF300P227
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF300P227 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF300P227
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF300P227
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRF300P227.pdf
État RoHS
En stock: 6822

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF300P227
Infineon Technologies - IRF300P227 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF300P227

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO247-3  
Séries StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 313W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4893 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF300  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF300P227

Attributs du produit IRF300P227 IRF3205PBF IRF3007STRLPBF IRF3007SPBF
Modèle de produit IRF300P227 IRF3205PBF IRF3007STRLPBF IRF3007SPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 110A (Tc) 62A (Tc) 62A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V
Package / Boîte TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base IRF300 IRF3205 IRF3007 IRF3007
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 300 V 55 V 75 V 75 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PG-TO247-3 TO-220AB D2PAK D2PAK
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4893 pF @ 50 V 3247 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 313W (Tc) 200W (Tc) 120W (Tc) 120W (Tc)
Séries StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRF300P227 PDF

Téléchargez IRF300P227 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF300P227 - Infineon Technologies.

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Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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