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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF2804S-7PPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF2804S-7PPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRF2804S-7PPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF2804S-7PPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
HEXFET POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Fiche technique
IRF2804S-7PPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF2804S-7PPBF
International Rectifier - IRF2804S-7PPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRF2804S-7PPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 160A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6930 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRF2804S-7PPBF

Attributs du produit IRF2804S-7PPBF IRF2804PBF IRF2804SPBF IRF2804STRL-7P
Modèle de produit IRF2804S-7PPBF IRF2804PBF IRF2804SPBF IRF2804STRL-7P
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6930 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 160A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V 2mOhm @ 75A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead) TO-220AB D2PAK D2PAK (7-Lead)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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