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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP04CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP04CN10NGXKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP04CN10NGXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP04CN10NGXKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MV POWER MOS
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP04CN10NGXKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 10277

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP04CN10NGXKSA1
Infineon Technologies - IPP04CN10NGXKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP04CN10NGXKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™ 2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP04CN10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP04CN10NGXKSA1

Attributs du produit IPP04CN10NGXKSA1 IPP048N04NG IPP04N03LA IPP045N10N3GXKSA1
Modèle de produit IPP04CN10NGXKSA1 IPP048N04NG IPP04N03LA IPP045N10N3GXKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V 4.8mOhm @ 70A, 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V
Séries OptiMOS™ 2 OptiMOS® 3 OptiMOS™ OptiMOS™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 117 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 200µA 2V @ 60µA 3.5V @ 150µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 25 V 100 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V 3300 pF @ 25 V 3877 pF @ 15 V 8410 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 79W (Tc) 107W (Tc) 214W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IPP04CN10 - IPP04N IPP045
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 70A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc)

Fiche technique IPP04CN10NGXKSA1 PDF

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Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T 26/Apr/2021.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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