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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP04CN10NG
IPP04CN10NG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP04CN10NG - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP04CN10NG
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP04CN10NG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IP(B,I,P)04CN10N G.pdf
En stock: 4050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP04CN10NG
Infineon Technologies - IPP04CN10NG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP04CN10NG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP04C  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP04CN10NG

Attributs du produit IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
Modèle de produit IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.8V @ 84µA 4V @ 250µA 3.5V @ 150µA
Séries OptiMOS™ StrongIRFET™ 2 OptiMOS™ 2 OptiMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V 3600 pF @ 50 V 13800 pF @ 50 V 8410 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Numéro de produit de base IPP04C IPP050M IPP04CN10 IPP045
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 60A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 19.4A (Ta), 110A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) 300W (Tc) 214W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -

Fiche technique IPP04CN10NG PDF

Téléchargez IPP04CN10NG PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP04CN10NG - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IP(B,I,P)04CN10N G.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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