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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP048N04NG
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP048N04NG - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP048N04NG
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP048N04NG
Modèle ECAD
Description des pièces
IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP048N04NG.pdf
En stock: 4160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP048N04NG
Infineon Technologies - IPP048N04NG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP048N04NG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1  
Séries OptiMOS® 3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 70A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 79W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP048N04NG

Attributs du produit IPP048N04NG IPP045N10N3GXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NG
Modèle de produit IPP048N04NG IPP045N10N3GXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries OptiMOS® 3 OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA 3.5V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 79W (Tc) 214W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 8410 pF @ 50 V 13800 pF @ 50 V 13800 pF @ 50 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 70A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 100 V 100 V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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