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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPF09N03LA
IPF09N03LA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPF09N03LA - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPF09N03LA
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPF09N03LA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPx09N03LA G.pdf
En stock: 4700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPF09N03LA
Infineon Technologies - IPF09N03LA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPF09N03LA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-23  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1642 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IPF09N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPF09N03LA

Attributs du produit IPF09N03LA NTF3055-100T3G IPF05N03LAG STP30N10F7
Modèle de produit IPF09N03LA NTF3055-100T3G IPF05N03LAG STP30N10F7
Fabricant Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 4V @ 250µA 2V @ 50µA 4.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1642 pF @ 15 V 455 pF @ 25 V 3110 pF @ 15 V 1270 pF @ 50 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 3A (Ta) 50A (Tc) 32A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 1.3W (Ta) 94W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 30A, 10V 110mOhm @ 1.5A, 10V 5.1mOhm @ 30A, 10V 24mOhm @ 16A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries OptiMOS™ - OptiMOS™ STripFET™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IPF09N NTF305 - STP30
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V 22 nC @ 10 V 25 nC @ 5 V 19 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-TO252-3-23 SOT-223 (TO-261) PG-TO252-3-23 TO-220AB
Tension drain-source (Vdss) 25 V 60 V 25 V 100 V

Fiche technique IPF09N03LA PDF

Téléchargez IPF09N03LA PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPF09N03LA - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IPx09N03LA G.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 07/Mar/2008.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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