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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDT456P
NDT456P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDT456P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDT456P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDT456P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NDT456P.pdf
État RoHS
En stock: 24590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDT456P
onsemi - NDT456P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDT456P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Ta)  
Numéro de produit de base NDT456  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDT456P

Attributs du produit NDT456P NDT453N NDT452P NDT454P
Modèle de produit NDT456P NDT453N NDT452P NDT454P
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 15 V 890 pF @ 15 V 525 pF @ 10 V 950 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Numéro de produit de base NDT456 NDT453 NDT452 NDT454
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) - 3W (Ta)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) - -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.5A, 10V 28mOhm @ 8A, 10V 180mOhm @ 3A, 10V 50mOhm @ 5.9A, 10V
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Ta) 8A (Ta) 3A (Ta) 5.9A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V

Fiche technique NDT456P PDF

Téléchargez NDT456P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDT456P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Identification Change 07/Oct/2022.pdf
Feuilles de données
NDT456P.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 17/Nov/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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