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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB80P04P407ATMA2
IPB80P04P407ATMA2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB80P04P407ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB80P04P407ATMA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB80P04P407ATMA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB80P04P407ATMA2.pdf
État RoHS
En stock: 18087

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB80P04P407ATMA2
Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB80P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA2

Attributs du produit IPB80P04P407ATMA2 IPB80R290C3AATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80P03P4L07ATMA2
Modèle de produit IPB80P04P407ATMA2 IPB80R290C3AATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80P03P4L07ATMA2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V - 233 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 40 V - 75 V 30 V
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V - ±20V +5V, -16V
Séries OptiMOS™ * OptiMOS™ OptiMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) - 80A (Tc) 80A (Tc)
type de FET P-Channel - N-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V - 5400 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V - 6.8mOhm @ 80A, 10V 6.9mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) - 300W (Tc) 88W (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 - PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA - 2V @ 250µA 2V @ 130µA
Numéro de produit de base IPB80P IPB80R IPB80N IPB80P

Fiche technique IPB80P04P407ATMA2 PDF

Téléchargez IPB80P04P407ATMA2 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB80P04P407ATMA2 - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Status 6/Jul/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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IPB80P04P407ATMA2

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