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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB80P03P4L07ATMA2
IPB80P03P4L07ATMA2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB80P03P4L07ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB80P03P4L07ATMA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB80P03P4L07ATMA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB80P03P4L07ATMA2.pdf
État RoHS
En stock: 25694

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies - IPB80P03P4L07ATMA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB80P03P4L07ATMA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA  
Vgs (Max) +5V, -16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB80P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB80P03P4L07ATMA2

Attributs du produit IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P04P407ATMA1 IPB80R290C3A IPB80N06S4L07ATMA2
Modèle de produit IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P04P407ATMA1 IPB80R290C3A IPB80N06S4L07ATMA2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IPB80P IPB80P - IPB80N
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) 88W (Tc) 227W (Tc) 79W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 17A (Tc) 80A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 800 V 60 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 80A, 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 290mOhm @ 11A, 10V 6.7mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 6085 pF @ 25 V 2300 pF @ 100 V 5680 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA 4V @ 150µA 3.9V @ 1mA 2.2V @ 40µA
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) +5V, -16V ±20V ±20V ±16V

Fiche technique IPB80P03P4L07ATMA2 PDF

Téléchargez IPB80P03P4L07ATMA2 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB80P03P4L07ATMA2 - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assem/DS Rev 4/Oct/2022.pdf

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