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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB80P04P407ATMA1
IPB80P04P407ATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB80P04P407ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB80P04P407ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB80P04P407ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB80P04P407ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 3750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB80P04P407ATMA1
Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB80P04P407ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB80P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1

Attributs du produit IPB80P04P407ATMA1 IPB80R290C3AATMA1 IPB80R290C3A IPB80R290C3AATMA2
Modèle de produit IPB80P04P407ATMA1 IPB80R290C3AATMA1 IPB80R290C3A IPB80R290C3AATMA2
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) - 227W (Tc) 227W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6085 pF @ 25 V - 2300 pF @ 100 V 2300 pF @ 100 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) - 17A (Tc) 17A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V - 117 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V - 290mOhm @ 11A, 10V 290mOhm @ 11A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V - 800 V 800 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA - 3.9V @ 1mA 3.9V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 - PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
type de FET P-Channel - N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IPB80P IPB80R - IPB80R
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ * Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Fiche technique IPB80P04P407ATMA1 PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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