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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB04N03LA
IPB04N03LA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB04N03LA - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB04N03LA
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB04N03LA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB04N03LA G.pdf
En stock: 4290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB04N03LA
Infineon Technologies - IPB04N03LA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB04N03LA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 60µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3877 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IPB04N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB04N03LA

Attributs du produit IPB04N03LA IPB049NE7N3GATMA1 IPB051NE8NG IPB052N04NG
Modèle de produit IPB04N03LA IPB049NE7N3GATMA1 IPB051NE8NG IPB052N04NG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IPB04N IPB049 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc) 70A (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO-263-3-2
Tension drain-source (Vdss) 25 V 75 V 85 V 40 V
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™2 OptiMOS™ 3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 68 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc) 79W (Tc)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V 4.9mOhm @ 80A, 10V 5.1mOhm @ 100A, 10V 5.2mOhm @ 70A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3877 pF @ 15 V 4750 pF @ 37.5 V 12100 pF @ 40 V 3300 pF @ 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 60µA 3.8V @ 91µA 4V @ 250µA 4V @ 33µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

Fiche technique IPB04N03LA PDF

Téléchargez IPB04N03LA PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPB04N03LA - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IPB04N03LA G.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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