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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB054N06N3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB054N06N3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB054N06N3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB054N06N3G
Modèle ECAD
Description des pièces
IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB054N06N3G.pdf
En stock: 4450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB054N06N3G
Infineon Technologies - IPB054N06N3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB054N06N3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 58µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries OptiMOS™ 3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB054N06N3G

Attributs du produit IPB054N06N3G IPB051NE8NG IPB04N03LAG IPB057N06NATMA1
Modèle de produit IPB054N06N3G IPB051NE8NG IPB04N03LAG IPB057N06NATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 100A (Tc) 80A (Tc) 17A (Ta), 45A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries OptiMOS™ 3 OptiMOS™2 OptiMOS™ OptiMOS™
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc) 300W (Tc) 107W (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 80A, 10V 5.1mOhm @ 100A, 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 5.7mOhm @ 45A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 30 V 12100 pF @ 40 V 3877 pF @ 15 V 2000 pF @ 30 V
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 85 V 25 V 60 V
Emballer Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 58µA 4V @ 250µA 2V @ 60µA 2.8V @ 36µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 6V, 10V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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