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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPB049N06L3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPB049N06L3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPB049N06L3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPB049N06L3G
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IPB049N06L3G.pdf
État RoHS
En stock: 3940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPB049N06L3G
Infineon Technologies - IPB049N06L3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPB049N06L3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 58µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries OptiMOS™ 3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPB049N06L3G

Attributs du produit IPB049N06L3G IPB048N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB048N06LG
Modèle de produit IPB049N06L3G IPB048N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB048N06LG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 58µA 4.6V @ 264µA 2V @ 60µA 2V @ 270µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 100 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 225 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO-263-3-2
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 150 V 25 V 60 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 30 V 7800 pF @ 75 V 3877 pF @ 15 V 7600 pF @ 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 80A, 10V 4.8mOhm @ 60A, 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 4.7mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc) 300W (Tc) 107W (Tc) 300W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 120A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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