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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA50R299CP
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA50R299CP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA50R299CP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA50R299CP
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA50R299CP.pdf
État RoHS
En stock: 3850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA50R299CP
Infineon Technologies - IPA50R299CP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA50R299CP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-31  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA50R299CP

Attributs du produit IPA50R299CP IPA50R500CE IPA50R520CP IPA50R350CP
Modèle de produit IPA50R299CP IPA50R500CE IPA50R520CP IPA50R350CP
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V 1020 pF @ 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 370µA
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc) 28W (Tc) 66W (Tc) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V 350mOhm @ 5.6A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 13V 10V 10V
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 7.6A (Tc) 7.1A (Tc) 10A (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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