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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA50R280CEXKSA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA50R280CEXKSA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA50R280CEXKSA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA50R280CEXKSA2.pdf
État RoHS
En stock: 69500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies - IPA50R280CEXKSA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA50R280CEXKSA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-FP  
Séries CoolMOS™ CE  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V  
Dissipation de puissance (max) 30.4W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 13V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IPA50R280  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA50R280CEXKSA2

Attributs du produit IPA50R280CEXKSA2 IPA50R350CP IPA50R280CE IPA50R299CPXKSA1
Modèle de produit IPA50R280CEXKSA2 IPA50R350CP IPA50R280CE IPA50R299CPXKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 13V 10V 13V 10V
Numéro de produit de base IPA50R280 - IPA50R IPA50R
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc) 10A (Tc) 13A (Tc) 12A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 32.6 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Package composant fournisseur PG-TO220-3-FP PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA 3.5V @ 370µA 3.5V @ 350µA 3.5V @ 440µA
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 550 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V 1020 pF @ 100 V 773 pF @ 100 V 1190 pF @ 100 V
Séries CoolMOS™ CE CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V 350mOhm @ 5.6A, 10V 280mOhm @ 4.2A, 13V 299mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipation de puissance (max) 30.4W (Tc) 32W (Tc) 30.4W (Tc) 104W (Tc)

Fiche technique IPA50R280CEXKSA2 PDF

Téléchargez IPA50R280CEXKSA2 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPA50R280CEXKSA2 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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