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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPA50R280CE
IPA50R280CE Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPA50R280CE - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPA50R280CE
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPA50R280CE
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IPA50R280CE.pdf
En stock: 5450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPA50R280CE
Infineon Technologies - IPA50R280CE Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPA50R280CE

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3-31  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V  
Dissipation de puissance (max) 30.4W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 13V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base IPA50R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPA50R280CE

Attributs du produit IPA50R280CE IPA50R500CE IPA50R190CE IPA50R350CP
Modèle de produit IPA50R280CE IPA50R500CE IPA50R190CE IPA50R350CP
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-FP PG-TO220-3-31
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 510µA 3.5V @ 370µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 1137 pF @ 100 V 1020 pF @ 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 13V 13V 13V 10V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V 500mOhm @ 2.3A, 13V 190mOhm @ 6.2A, 13V 350mOhm @ 5.6A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 7.6A (Tc) 18.5A (Tc) 10A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 30.4W (Tc) 28W (Tc) 32W (Tc) 32W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Numéro de produit de base IPA50R IPA50R IPA50R -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 47.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V

Fiche technique IPA50R280CE PDF

Téléchargez IPA50R280CE PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPA50R280CE - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Assembly/Test Site 18/Jun/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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