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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIAUZ40N06S5N050ATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IAUZ40N06S5N050ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IAUZ40N06S5N050ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 90550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IAUZ40N06S5N050ATMA1
Infineon Technologies - IAUZ40N06S5N050ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IAUZ40N06S5N050ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 29µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8-33  
Séries OptiMOS™-5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tj)  
Numéro de produit de base IAUZ40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IAUZ40N06S5N050ATMA1

Attributs du produit IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1
Modèle de produit IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSMD, Gull Wing
Package composant fournisseur PG-TSDSON-8-33 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1 PG-HSOG-8-1
Numéro de produit de base IAUZ40 IAUT240 IAUT260 IAUS300
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30.5 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V 231 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 80 V 100 V 80 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 30 V 9264 pF @ 40 V 11830 pF @ 50 V 16250 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 29µA 3.8V @ 160µA 3.8V @ 210µA 3.8V @ 275µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tj) 240A (Tc) 260A (Tc) 300A (Tc)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IAUZ40N06S5N050ATMA1 PDF

Téléchargez IAUZ40N06S5N050ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Infineon Technologies.

Conception / spécification PCN
Mutl Dev DS Rev 1/Dec/2021.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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