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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIAUC60N04S6L030HATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IAUC60N04S6L030HATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IAUC60N04S6L030HATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IAUC60N04S6L030HATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
IAUC60N04S6L030HATMA1
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IAUC60N04S6L030HATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 44148

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IAUC60N04S6L030HATMA1
Infineon Technologies - IAUC60N04S6L030HATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IAUC60N04S6L030HATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-56  
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V  
Puissance - Max 75W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2128pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tj)  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base IAUC60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IAUC60N04S6L030HATMA1

Attributs du produit IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC45N04S6L063HATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1
Modèle de produit IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC45N04S6L063HATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 75W (Tc) 75W (Tc) 41W (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 40V 40V 40V 80 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V 6.3mOhm @ 22A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerSMD, Gull Wing
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V 30nC @ 10V 13nC @ 10V 90 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tj) 60A (Tj) 45A (Tj) 165A (Tc)
Numéro de produit de base IAUC60 IAUC60 IAUC45 IAUS165
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2128pF @ 25V 1922pF @ 25V 775pF @ 25V 6370 pF @ 40 V
Package composant fournisseur PG-TDSON-8-56 PG-TDSON-8-56 PG-TDSON-8-57 PG-HSOG-8-1
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA 3V @ 25µA 2V @ 9µA 3.8V @ 108µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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