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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IAUT260N10S5N019ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IAUT260N10S5N019ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IAUT260N10S5N019ATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Description détaillée
Emballage
8-PowerSFN
Fiche technique
IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 14245

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies - IAUT260N10S5N019ATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IAUT260N10S5N019ATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 210µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-HSOF-8-1  
Séries OptiMOS™-5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerSFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11830 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 260A (Tc)  
Numéro de produit de base IAUT260  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1

Attributs du produit IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
Modèle de produit IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerTDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 231 nC @ 10 V 30.5 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 230W (Tc) 375W (Tc) 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1 PG-HSOG-8-1 PG-TSDSON-8-33
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 260A (Tc) 240A (Tc) 300A (Tc) 40A (Tj)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 80 V 80 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 210µA 3.8V @ 160µA 3.8V @ 275µA 3.4V @ 29µA
Fonction FET - - - -
Séries OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™-5
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11830 pF @ 50 V 9264 pF @ 40 V 16250 pF @ 40 V 2200 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Numéro de produit de base IAUT260 IAUT240 IAUS300 IAUZ40
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IAUT260N10S5N019ATMA1 PDF

Téléchargez IAUT260N10S5N019ATMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IAUT260N10S5N019ATMA1 - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
OPTIMOS Assembly/DS Chgs 2/Jul/2020.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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