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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSZ0909LSATMA1
BSZ0909LSATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSZ0909LSATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSZ0909LSATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSZ0909LSATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSZ0909LSATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 100840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSZ0909LSATMA1
Infineon Technologies - BSZ0909LSATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSZ0909LSATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8 FL  
Séries OptiMOS™ 5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base BSZ0909  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSZ0909LSATMA1

Attributs du produit BSZ0909LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSIATMA1
Modèle de produit BSZ0909LSATMA1 BSZ0911LSATMA1 BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSIATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 2.6mOhm @ 20A, 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8 FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base BSZ0909 BSZ0911 BSZ0902 BSZ0902
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 40A (Tc) 12A (Ta), 40A (Tc) 19A (Ta), 40A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc)
Dissipation de puissance (max) - - 2.1W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 5 OptiMOS™ OptiMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 15 V 670 pF @ 15 V 1700 pF @ 15 V 1500 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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