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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSF134N10NJ3GXUMA1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSF134N10NJ3GXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSF134N10NJ3GXUMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
Description détaillée
Emballage
3-WDSON
Fiche technique
BSF134N10NJ3GXUMA1.pdf
État RoHS
En stock: 29342

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSF134N10NJ3GXUMA1
Infineon Technologies - BSF134N10NJ3GXUMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSF134N10NJ3GXUMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta), 43W (Tc)  
Package / Boîte 3-WDSON  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base BSF134  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1

Attributs du produit BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF885N03LQ3G SI2334DS-T1-GE3 2SK2090-T1-A
Modèle de produit BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF885N03LQ3G SI2334DS-T1-GE3 2SK2090-T1-A
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Renesas Electronics America Inc
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tension drain-source (Vdss) 100 V - 30 V 50 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±8V -
Séries OptiMOS™ * TrenchFET® -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V - 10 nC @ 4.5 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 30A, 10V - 44mOhm @ 4.2A, 4.5V 20Ohm @ 10mA, 4V
Package composant fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™ - SOT-23-3 (TO-236) SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta), 43W (Tc) - 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V - 2.5V, 4.5V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V - 634 pF @ 15 V 6000 pF @ 3 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numéro de produit de base BSF134 - SI2334 -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA - 1V @ 250µA 1.5V @ 1µA
Package / Boîte 3-WDSON - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 40A (Tc) - 4.9A (Tc) 100mA (Ta)

Fiche technique BSF134N10NJ3GXUMA1 PDF

Téléchargez BSF134N10NJ3GXUMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies.

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Assemblage / origine PCN
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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