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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9540NSTRR
IRF9540NSTRR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9540NSTRR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9540NSTRR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9540NSTRR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF9540NSTRR.pdf
En stock: 4460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9540NSTRR
Infineon Technologies - IRF9540NSTRR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9540NSTRR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9540NSTRR

Attributs du produit IRF9540NSTRR IRF9540PBF IRF9540NSPBF IRF9540SPBF
Modèle de produit IRF9540NSTRR IRF9540PBF IRF9540NSPBF IRF9540SPBF
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 19A (Tc) 23A (Tc) 19A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 150W (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V 117mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Fiche technique IRF9540NSTRR PDF

Téléchargez IRF9540NSTRR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9540NSTRR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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