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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRF3205Z
AUIRF3205Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF3205Z - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF3205Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF3205Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
AUIRF3205Z.pdf
État RoHS
En stock: 37025

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF3205Z
Infineon Technologies - AUIRF3205Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF3205Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 66A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base AUIRF3205  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF3205Z

Attributs du produit AUIRF3205Z AUIRF2807 AUIRF3504 AUIRF3004WL
Modèle de produit AUIRF3205Z AUIRF2807 AUIRF3504 AUIRF3004WL
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Numéro de produit de base AUIRF3205 - - AUIRF3004
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Wide Leads
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 230W (Tc) 143W (Tc) 375W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 66A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 9.2mOhm @ 52A, 10V 1.4mOhm @ 195A, 10V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-262-3 Wide
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3450 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 2150 pF @ 25 V 9450 pF @ 32 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 55 V 75 V 40 V 40 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 87A (Tc) 240A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique AUIRF3205Z PDF

Téléchargez AUIRF3205Z PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRF3205Z - Infineon Technologies.

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Assemblage / origine PCN
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Mode de transport

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Brésil 7
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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