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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRF2807
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF2807 - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
AUIRF2807
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF2807
Modèle ECAD
Description des pièces
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
AUIRF2807.pdf
État RoHS
En stock: 25785

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF2807
International Rectifier - AUIRF2807 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - AUIRF2807

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier AUIRF2807

Attributs du produit AUIRF2807 AUIRF3205Z AUIRF2907Z AUIRF2903ZS
Modèle de produit AUIRF2807 AUIRF3205Z AUIRF2907Z AUIRF2903ZS
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Tension drain-source (Vdss) 75 V 55 V 75 V 30 V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB D2PAK
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Bulk Tube Tube Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 6320 pF @ 25 V
Séries HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 170W (Tc) 300W (Tc) 231W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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