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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAUIRF3315STRL
AUIRF3315STRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF3315STRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF3315STRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF3315STRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
AUIRF3315S.pdf
État RoHS
En stock: 3660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF3315STRL
Infineon Technologies - AUIRF3315STRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF3315STRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF3315STRL

Attributs du produit AUIRF3315STRL AUIRF3205Z AUIRF3315S AUIRF3007
Modèle de produit AUIRF3315STRL AUIRF3205Z AUIRF3315S AUIRF3007
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 170W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 200W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc) 75A (Tc) 21A (Tc) 75A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 150 V 55 V 150 V 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 82mOhm @ 12A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V

Fiche technique AUIRF3315STRL PDF

Téléchargez AUIRF3315STRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRF3315STRL - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 31/Jul/2019.pdf
Feuilles de données
AUIRF3315S.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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