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AUIRF2804STRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AUIRF2804STRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
AUIRF2804STRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-AUIRF2804STRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
AUIRF2804STRL.pdf
État RoHS
En stock: 9645

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AUIRF2804STRL
Infineon Technologies - AUIRF2804STRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - AUIRF2804STRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)  
Numéro de produit de base AUIRF2804  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies AUIRF2804STRL

Attributs du produit AUIRF2804STRL AUIRF2903ZS AUIRF3007 AUIRF3205
Modèle de produit AUIRF2804STRL AUIRF2903ZS AUIRF3007 AUIRF3205
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 75 V 55 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 231W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-220AB TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V 6320 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3247 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc) 160A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base AUIRF2804 - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique AUIRF2804STRL PDF

Téléchargez AUIRF2804STRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour AUIRF2804STRL - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 18/Mar/2022.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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