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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxAO5800E
AO5800E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AO5800E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AO5800E
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AO5800E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
AO5800E.pdf
En stock: 3610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AO5800E
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5800E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5800E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-89-6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 400mA, 10V  
Puissance - Max 400mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base AO580  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5800E

Attributs du produit AO5800E SI1967DH-T1-E3 AO5803E SI4922BDY-T1-E3
Modèle de produit AO5800E SI1967DH-T1-E3 AO5803E SI4922BDY-T1-E3
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix
Package composant fournisseur SC-89-6 SC-70-6 SC-89-6 8-SOIC
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 30V 110pF @ 10V 100pF @ 10V 2070pF @ 15V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 1.3A - 8A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max 400mW 1.25W 400mW 3.1W
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 400mA, 10V 490mOhm @ 910mA, 4.5V 800mOhm @ 600mA, 4.5V 16mOhm @ 5A, 10V
Numéro de produit de base AO580 SI1967 AO580 SI4922
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.8V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 4nC @ 8V - 62nC @ 10V
Séries - TrenchFET® - TrenchFET®
Tension drain-source (Vdss) 60V 20V 20V 30V

Fiche technique AO5800E PDF

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Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL - LTS Rev 31/Oct/2017.pdf Mult Dev EOL 23/Jan/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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